情報技術の発展に不可欠なものの一つに、携帯電話やLD、LEDに使われるガリウムヒ素半導体があります。その原料となるのが高純度金属ヒ素です。
過去、当社足尾製錬所の自山鉱に含まれるヒ素を回収するため、大正時代初期より亜ヒ酸製造技術を確率しました。ヒ素は従来から農薬・ガラス・医薬品などに利用され、半導体材料としても注目されていました。
当社では早くからその特性に注目し、1960（昭和35）年より高純度金属ヒ素の開発に着手、1962（昭和37）年に研究開発が完了し、99.999％（5N）以上の金属ヒ素の製品化に成功しました。現在では、世界最高純度である99.999995％（7N5）の高純度金属ヒ素を生産しています。電子部門は、高純度金属ヒ素の国内唯一の製造メーカーであり、そのシェアは世界トップを誇ります。

近年、電子機器の高性能化や高集積化、微細化、薄型化が進んでおり、それに伴い放熱部材の需要は高まりつつあります。放熱部材は、電子機器の内部から発生した熱を外気に放出することで、機器の動作異常などを防ぐための必須部品です。スマートフォンやパソコンなどの大容量通信デバイスや通信機器をはじめ、半導体製造装置、次世代自動車（ハイブリッド車、EVなど）等に使用されています。
放熱用セラミックス部材には、アルミナと呼ばれる酸化アルミニウム（Al₂O₃）や窒化アルミニウム（AlN）、炭化ケイ素 （SiC）などがあり、市場では安価なアルミナのシェアが最も高く、高価で高機能な窒化アルミニウム（AlN）のシェアはまだ僅かです。当社の窒化アルミニウム（AlN）の特性は、熱伝導性が高く、電気を通さない絶縁性のほか、均熱性、耐食性があることから、その特性が特に求められる半導体製造装置や部品・装置類に採用されはじめています。今後は、5Gなど通信機器の高性能化やデータセンターの伸長、パワー半導体や次世代自動車の普及、更には半導体や電子デバイスをはじめとした各種機器や端末の高性能化などにより、放熱部材としての窒化アルミセラミックスの市場拡大が見込まれています。

電子部門では、調達した窒化アルミニウム（AlN）原料（粉末）を、成形、焼成、加工する生産体制を構築しており、放熱部材となる窒化アルミセラミックス製の部品や基板、フィラーを製造・販売しています。焼結時間や温度調整などこれまで蓄積してきた焼成技術が強みです。
独自技術とノウハウにより、焼成処理中に生じやすい反りや割れ、変色を抑制した世界最大サイズの大型部品等の製造が可能です。そのため、国内のセラミックス業界では、窒化アルミセラミックス製品の生産委託先としても認知されています。
また、顧客のニーズに応じて熱伝導率90W、170W、200W、230Wの4グレードの窒化アルミセラミックス焼結体（部品・基板）をラインナップし、最高グレードの230Wについては、他社に先駆けて開発、上市しました。現在は、さらにハイグレードとなる250W級の高熱伝導率の焼結体の開発を進めています。
製造面においては、今後も拡大が予想される市場ニーズに対応するため、大型焼成炉を1基増設し、生産能力の増強を進めています。引き続き、独自の技術とノウハウによって高品質な窒化アルミセラミックスに特化した各種製品を提供していきます。